时间：2025/5/9 14:13:31
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IPD180N10N3 G是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率开关应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适合用于各种功率转换电路。
这款MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池管理等领域。其封装形式为TO-220，便于散热和安装。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：45nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗。
2. 高雪崩能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
3. 快速开关特性，适合高频应用环境。
4. 具有良好的热稳定性和可靠性，能够在极端温度范围内正常工作。
5. 封装设计优化了散热性能，确保长时间运行时的稳定性。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制器件。
4. 各类负载开关应用。
5. 电池保护和管理系统中的关键组件。
6. 工业自动化设备中的功率级控制元件。
IPD150N10N3 G, IPB150N10N3 G
